MOSFET P ROHM 200 mA 20 V Enrichissement, 3 broches, SC-75 RE1C002ZP

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Code commande RS:
148-6907
Référence fabricant:
RE1C002ZPTL
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

200mA

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Type de Boitier

SC-75

Série

RE1C002ZP

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

9.6Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

1.4nC

Tension directe Vf

1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

150mW

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

10V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Longueur

1.7mm

Hauteur

0.8mm

Largeur

0.96mm

Standard automobile

Non

Type d'entraînement basse tension (12 V)

Transistor MOSFET à petit signal Pch

Petit boîtier pour montage en surface

Sans plomb/conforme à la directive RoHS

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