Références fabricant

MOSFET canal N ROHM 250 mA 60 V Enrichissement, 3 broches, SOT-416 RE1C002ZP

Code commande RS:: 148-6908
Référence fabricant:: RE1L002SNTL
Marque:: ROHM

MOSFET canal N ROHM 250 mA 60 V Enrichissement, 3 broches, SOT-416 RE1C002ZP

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

138,00 €

165,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,046 €	138,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 148-6908
Référence fabricant:: RE1L002SNTL
Marque:: ROHM

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	ROHM
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	250mA
	Tension Drain Source maximum Vds	60V
	Type de Boitier	SOT-416
	Série	RE1C002ZP
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	12Ω
	Mode de canal	Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd	150mW
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension directe Vf	1.2V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Longueur	1.7mm
	Hauteur	0.8mm
	Normes/homologations	No
	Largeur	0.96mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque ROHM
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 250mA
	Tension Drain Source maximum Vds 60V
	Type de Boitier SOT-416
	Série RE1C002ZP
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 12Ω
	Mode de canal Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd 150mW
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension directe Vf 1.2V
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Longueur 1.7mm
	Hauteur 0.8mm
	Normes/homologations No
	Largeur 0.96mm
	Standard automobile Non

Datasheet

Type d'entraînement basse tension (12 V)

Transistor MOSFET à petit signal Pch

Petit boîtier pour montage en surface

Sans plomb/conforme à la directive RoHS

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