MOSFET canal N ROHM 250 mA 60 V Enrichissement, 3 broches, SOT-416 RE1C002ZP

Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 200 unités)*

19,60 €

HT

23,60 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 15 mars 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
le paquet*
200 - 2000,098 €19,60 €
400 - 8000,091 €18,20 €
1000 - 18000,086 €17,20 €
2000 - 98000,072 €14,40 €
10000 +0,07 €14,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
148-6962
Référence fabricant:
RE1L002SNTL
Marque:
ROHM
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

250mA

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

RE1C002ZP

Type de Boitier

SOT-416

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

12Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

150mW

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

1.7mm

Largeur

0.96mm

Normes/homologations

No

Hauteur

0.8mm

Standard automobile

Non

Type d'entraînement basse tension (12 V)

Transistor MOSFET à petit signal Pch

Petit boîtier pour montage en surface

Sans plomb/conforme à la directive RoHS

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.