MOSFET P ROHM 100 mA 20 V Enrichissement, 3 broches, SOT-416 RE1C001ZP

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Code commande RS:
124-6783
Référence fabricant:
RE1C001ZPTL
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

100mA

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Type de Boitier

SOT-416

Série

RE1C001ZP

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

40Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

150mW

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

10V

Tension directe Vf

-1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

0.9mm

Normes/homologations

No

Longueur

1.7mm

Hauteur

0.7mm

Standard automobile

Non

Transistors MOSFET canal P, ROHM


Transistors MOSFET, ROHM Semiconductor


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