Références fabricant

MOSFET P ROHM 200 mA 20 V Enrichissement, 3 broches, SC-75 RE1C002ZP

Code commande RS:: 148-6960
Référence fabricant:: RE1C002ZPTL
Marque:: ROHM

MOSFET P ROHM 200 mA 20 V Enrichissement, 3 broches, SC-75 RE1C002ZP

Sous-total (1 paquet de 200 unités)*

25,60 €

30,80 €

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

Dernier stock RS

600 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution

Unité	Prix par unité	le paquet*
200 +	0,128 €	25,60 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 148-6960
Référence fabricant:: RE1C002ZPTL
Marque:: ROHM

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	ROHM
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	Type P
	Courant continu de Drain maximum Id	200mA
	Tension Drain Source maximum Vds	20V
	Série	RE1C002ZP
	Type de Boitier	SC-75
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	9.6Ω
	Mode de canal	Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd	150mW
	Tension maximale de source de la grille Vgs	10V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	1.4nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension directe Vf	1.2V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Largeur	960μm
	Longueur	1.7mm
	Normes/homologations	RoHS
	Hauteur	800μm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque ROHM
	Type de produit MOSFET
	Type de canal Type P
	Courant continu de Drain maximum Id 200mA
	Tension Drain Source maximum Vds 20V
	Série RE1C002ZP
	Type de Boitier SC-75
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 9.6Ω
	Mode de canal Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd 150mW
	Tension maximale de source de la grille Vgs 10V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 1.4nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension directe Vf 1.2V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Largeur 960μm
	Longueur 1.7mm
	Normes/homologations RoHS
	Hauteur 800μm
	Standard automobile Non

Datasheet

Type d'entraînement basse tension (12 V)

Transistor MOSFET à petit signal Pch

Petit boîtier pour montage en surface

Sans plomb/conforme à la directive RoHS

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