MOSFET P ROHM 200 mA 20 V Enrichissement, 3 broches, ESM RZM002P02

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Code commande RS:
124-6846
Référence fabricant:
RZM002P02T2L
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

200mA

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Série

RZM002P02

Type de Boitier

ESM

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

9.6Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

150mW

Charge de porte typique Qg @ Vgs

1.4nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-10V, +10V

Tension directe Vf

-1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

900μm

Normes/homologations

No

Longueur

1.3mm

Hauteur

450μm

Standard automobile

Non

Transistors MOSFET canal P, ROHM


Transistors MOSFET, ROHM Semiconductor


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