MOSFET P ROHM 100 mA 20 V Enrichissement, 3 broches, ESM RZM001P02

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Code commande RS:
124-6845
Référence fabricant:
RZM001P02T2L
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

100mA

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Série

RZM001P02

Type de Boitier

ESM

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

40Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

-1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-10V, +10V

Dissipation de puissance maximum Pd

150mW

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

1.3mm

Largeur

900μm

Normes/homologations

No

Hauteur

450μm

Standard automobile

Non

Transistors MOSFET canal P, ROHM


Transistors MOSFET, ROHM Semiconductor


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