MOSFET canal N Infineon 180 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 HEXFET

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Code commande RS:
124-9014
Référence fabricant:
IRFP4110PBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

180A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

HEXFET

Type de Boitier

TO-247

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

5mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

150nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.3V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Dissipation de puissance maximum Pd

370W

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

5.31mm

Hauteur

20.7mm

Longueur

15.87mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
MX

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