MOSFET canal N Infineon 30 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 HEXFET

Code commande RS:: 124-8762
Référence fabricant:: IRFP250MPBF
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 30 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 HEXFET

Actuellement indisponible

Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.

Code commande RS:: 124-8762
Référence fabricant:: IRFP250MPBF
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	30A
	Tension Drain Source maximum Vds	200V
	Type de Boitier	TO-247
	Série	HEXFET
	Type de montage	Traversant
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	75mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	214W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	123nC
	Tension directe Vf	1.3V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Largeur	5.2mm
	Normes/homologations	No
	Longueur	16.13mm
	Hauteur	21.1mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 30A
	Tension Drain Source maximum Vds 200V
	Type de Boitier TO-247
	Série HEXFET
	Type de montage Traversant
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 75mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 214W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 123nC
	Tension directe Vf 1.3V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Largeur 5.2mm
	Normes/homologations No
	Longueur 16.13mm
	Hauteur 21.1mm
	Standard automobile Non

Datasheet

Pays d'origine :: CN

MOSFET Infineon de la série HEXFET, courant de vidange continu maximum de 30A, dissipation de puissance maximum de 214W - IRFP250MPBF

Ce MOSFET à canal N est conçu pour des performances et une efficacité élevées dans une grande variété d'applications. Il offre un courant de drainage continu maximum de 30A et une tension drain-source de 200V, ce qui le rend adapté aux tâches dans les secteurs de l'automatisation et de l'électronique. Sa conception garantit des performances thermiques efficaces, ce qui favorise son utilisation dans les industries électriques et mécaniques.

Caractéristiques et avantages

• La valeur dynamique dv/dt garantit la stabilité pendant le fonctionnement

• Capacités thermiques améliorées, avec une température de fonctionnement allant jusqu'à 175°C

• La faible résistance à l'enclenchement réduit les pertes de puissance

• Entièrement homologué pour les avalanches, il offre une protection contre les surtensions

• Exigences simples en matière d'entraînement pour une intégration plus facile dans les conceptions

Applications

• Adapté à la commutation à haute fréquence

• Idéal pour les alimentations et les convertisseurs

• Applicable aux systèmes de commande de moteurs et aux entraînements industriels

• Utilisés dans les systèmes d'énergie renouvelable, tels que les onduleurs solaires

Comment la performance thermique est-elle gérée dans des environnements exigeants ?

Les caractéristiques de résistance thermique sont conçues pour une dissipation efficace de la chaleur, permettant un fonctionnement de -55°C à +175°C.

Quelles sont les implications de la faible valeur de Rds(on) ?

La faible résistance à l'enclenchement se traduit par une plus faible dissipation de puissance pendant la conduction, ce qui améliore l'efficacité globale du système et réduit les contraintes thermiques sur les composants.

Ce dispositif peut-il être utilisé pour des configurations parallèles ?

Oui, la conception facilite la mise en parallèle, augmentant la capacité de courant et améliorant les performances thermiques dans les applications de haute puissance.

Que faut-il prendre en compte lors de la sélection de la tension de commande de la grille ?

Une tension de commande de grille comprise entre 2 et 4 V est optimale pour garantir des performances de commutation suffisantes et éviter tout fonctionnement indésirable.

Quelles sont les mesures en place pour la protection contre les surtensions ?

Le MOSFET est entièrement classé en avalanche, ce qui le protège contre les surtensions transitoires et garantit un fonctionnement fiable dans des conditions fluctuantes.