MOSFET canal N Infineon 130 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 HEXFET

Code commande RS:: 124-9022
Référence fabricant:: IRFP4668PBF
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 130 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 HEXFET

Sous-total (25 unités, dans un tube de 25)*

58,25 €

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*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 124-9022
Référence fabricant:: IRFP4668PBF
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	130A
	Tension Drain Source maximum Vds	200V
	Série	HEXFET
	Type de Boitier	TO-247
	Type de montage	Traversant
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	10mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	520W
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-30, +30V
	Tension directe Vf	1.3V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	161nC
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Longueur	15.87mm
	Largeur	5.31mm
	Hauteur	20.7mm
	Normes/homologations	No
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 130A
	Tension Drain Source maximum Vds 200V
	Série HEXFET
	Type de Boitier TO-247
	Type de montage Traversant
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 10mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 520W
	Tension maximale de source de la grille Vgs -30, +30V
	Tension directe Vf 1.3V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 161nC
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Longueur 15.87mm
	Largeur 5.31mm
	Hauteur 20.7mm
	Normes/homologations No
	Standard automobile Non

Datasheet

Pays d'origine :: MX

Infineon HEXFET Series MOSFET, 130A Maximum Continuous Drain Current, 200V Maximum Drain Source Voltage - IRFP4668PBF

Ce MOSFET est un dispositif à canal N de haute performance conçu pour une gestion efficace de la puissance dans diverses applications. Ses dimensions sont de 15,87 mm de longueur, 5,31 mm de largeur et 20,7 mm de hauteur, dans un boîtier TO-247AC. Avec des spécifications robustes comprenant un courant de drain continu maximum de 130A et une tension drain-source maximum de 200V, il est idéal pour les applications électriques exigeantes.

Caractéristiques et avantages

• Diode de corps améliorée pour une meilleure performance de commutation

• Faible Rds(on) de 10mΩ minimisant la perte de puissance

• Rendement élevé dans les circuits de redressement synchrone

• Robustesse accrue dans des conditions dynamiques de dV/dt

• Avalanche et performances thermiques entièrement caractérisées pour une plus grande fiabilité

Applications

• Utilisé dans la commutation de puissance à grande vitesse

• Convient aux systèmes d'alimentation sans interruption

• Idéal pour les circuits à commutation dure et à haute fréquence

• Applicable à divers systèmes d'automatisation et d'alimentation industrielle

Quelles sont les valeurs thermiques pour un fonctionnement sûr ?

La puissance dissipée maximale est de 520 W à 25 °C, et la température de jonction ne doit pas dépasser 175 °C pour garantir un fonctionnement sûr.

Quel est l'impact de la tension de seuil de la porte sur la fonctionnalité ?

La tension de seuil de la grille varie de 3 à 5 V, ce qui facilite un contrôle efficace pendant les opérations de commutation, ce qui est crucial pour des performances fiables dans les applications de puissance.

Ce MOSFET peut-il supporter des charges de courant pulsé élevées ?

Oui, il est prévu pour un courant de drainage pulsé allant jusqu'à 520 A, ce qui le rend adapté aux applications lourdes nécessitant des capacités de traitement de courants élevés.