MOSFET Infineon canal N, TO-247AC 81 A 55 V, 3 broches

Code commande RS:: 541-1253
Référence fabricant:: IRFP054NPBF
Marque:: Infineon

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Référence fabricant:: IRFP054NPBF
Marque:: Infineon

Datasheet

Transistor MOSFET de puissance à canal N, 55 V, Infineon

La gamme de transistors MOSFET de puissance HEXFET® discrets, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés et des facteurs de forme capables de faire face à pratiquement toutes les dispositions de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.

MOSFET Infineon de la série HEXFET, courant de vidange continu maximal de 81A, dissipation de puissance maximale de 170W - IRFP054NPBF

Ce MOSFET offre une solution robuste pour des performances à haute vitesse et une gestion efficace de l'énergie. Avec sa configuration à canal N, le dispositif assure un fonctionnement fiable dans divers circuits électroniques. Il peut supporter des courants d'écoulement continus jusqu'à 81A et a une tension nominale de 55V, ce qui en fait un choix notable pour les professionnels des secteurs de l'automatisation, de l'électronique et de la mécanique.

Caractéristiques et avantages

• Le courant de vidange continu maximum de 81A permet de réaliser des applications de haute performance
• La faible résistance à l'enclenchement de 12mΩ contribue à améliorer l'efficacité
• La large plage de tension de seuil de la porte permet de concevoir des circuits polyvalents
• La capacité de dissipation d'énergie élevée de 170 W garantit un fonctionnement durable
• Le boîtier compact TO-247AC simplifie l'installation

Applications

• Utilisés dans les systèmes de conversion d'énergie et de contrôle des moteurs
• Intégré aux circuits d'alimentation et d'amplification
• Applicable dans les systèmes d'énergie renouvelable pour une commutation efficace
• Convient pour l'automobile, améliorant la résilience des performances

Quelle est la capacité maximale de dissipation d'énergie de cet appareil ?

La puissance maximale dissipée est de 170 W, ce qui lui permet de gérer efficacement des charges importantes.

Comment la tension de seuil de la porte affecte-t-elle le fonctionnement ?

La tension de seuil de la grille est comprise entre 2 et 4 V, ce qui permet une compatibilité avec différents types de circuits et garantit un fonctionnement efficace dans les limites des paramètres spécifiés.

Ce MOSFET peut-il être utilisé dans des environnements à haute température ?

Oui, il fonctionne dans une plage de température allant de -55°C à +175°C, ce qui le rend adapté à des conditions thermiques difficiles.

Quels sont les avantages de l'utilisation d'un faible RDS(on) ?

Un faible RDS(on) de 12mΩ réduit la production de chaleur et améliore l'efficacité, ce qui est essentiel pour les applications à haute performance.

Est-il facile à installer dans les systèmes électroniques existants ?

Le boîtier TO-247AC est conçu pour un montage à travers le trou, ce qui facilite l'installation dans diverses applications.

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	81 A
Tension Drain Source maximum	55 V
Série	HEXFET
Type de boîtier	TO-247AC
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	12 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	4V
Tension de seuil minimale de la grille	2V
Dissipation de puissance maximum	170 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Largeur	5.3mm
Charge de Grille type @ Vgs	130 nC @ 10 V
Longueur	15.9mm
Température d'utilisation maximum	+175 °C
Nombre d'éléments par circuit	1
Matériau du transistor	Si
Hauteur	20.3mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Tension directe de la diode	1.3V