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    MOSFET Infineon canal N, , TO-247AC 110 A 55 V, 3 broches

    Code commande RS:
    541-0008
    Référence fabricant:
    IRFP064NPBF
    Marque:
    Infineon
    Infineon
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    Marque:
    Infineon
    Pays d'origine :
    CN

    Documentation technique


    Législation et Conformité

    Pays d'origine :
    CN

    Détail produit

    Transistor MOSFET de puissance à canal N, 55 V, Infineon


    La gamme de transistors MOSFET de puissance HEXFET® discrets, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés et des facteurs de forme capables de faire face à pratiquement toutes les dispositions de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.


    Transistors MOSFET, Infineon


    Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

    Caractéristiques techniques

    AttributValeur
    Type de canalN
    Courant continu de Drain maximum110 A
    Tension Drain Source maximum55 V
    Type de boîtierTO-247AC
    Type de montageTraversant
    Nombre de broches3
    Résistance Drain Source maximum8 mΩ
    Mode de canalEnrichissement
    Tension de seuil maximale de la grille4V
    Tension de seuil minimale de la grille2V
    Dissipation de puissance maximum200 W
    Configuration du transistorSimple
    Tension Grille Source maximum-20 V, +20 V
    Température d'utilisation maximum+175 °C
    Charge de Grille type @ Vgs170 nC @ 10 V
    Nombre d'éléments par circuit1
    Largeur5.3mm
    Longueur15.9mm
    Matériau du transistorSi
    SérieHEXFET
    Hauteur20.3mm
    Température de fonctionnement minimum-55 °C
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