Références fabricant

MOSFET canal N Infineon 110 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 HEXFET

Code commande RS:: 165-5890
Référence fabricant:: IRF3205STRLPBF
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 110 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 HEXFET

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Code commande RS:: 165-5890
Référence fabricant:: IRF3205STRLPBF
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	110A
	Tension Drain Source maximum Vds	55V
	Type de Boitier	TO-263
	Série	HEXFET
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	8mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Dissipation de puissance maximum Pd	200W
	Tension directe Vf	1.3V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	146nC
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Largeur	9.65mm
	Longueur	10.67mm
	Normes/homologations	No
	Hauteur	4.83mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 110A
	Tension Drain Source maximum Vds 55V
	Type de Boitier TO-263
	Série HEXFET
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 8mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Dissipation de puissance maximum Pd 200W
	Tension directe Vf 1.3V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 146nC
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Largeur 9.65mm
	Longueur 10.67mm
	Normes/homologations No
	Hauteur 4.83mm
	Standard automobile Non

IRF3205SPbF, IRF3205LPbF, HEXFET Power MOSFET

Transistor MOSFET de puissance à canal N, 55 V, Infineon

La gamme de transistors MOSFET de puissance HEXFET® discrets, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés et des facteurs de forme capables de faire face à pratiquement toutes les dispositions de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.

Transistors MOSFET, Infineon

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