MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 30 A 55 V, 3 broches

Code commande RS:: 145-8936
Référence fabricant:: IRLZ34NSTRLPBF
Marque:: Infineon

MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 30 A 55 V, 3 broches

Prix dégressifs sur quantité

Prix l'unité (en bobine de 800)**

0,496 €

0,595 €

En stock à partir du 17/05/2025, livraison sous 3 jour(s)*

* Les dates de livraison peuvent varier selon la quantité choisie et l'adresse de livraison.

FRAIS de livraison offerts pour toute commande de plus de 50,00 €

Uniquement disponible en livraison standard

Unité	Prix par unité	la bobine**
800 - 800	0,496 €	396,80 €
1600 - 1600	0,472 €	377,60 €
2400 +	0,442 €	353,60 €

**Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 145-8936
Référence fabricant:: IRLZ34NSTRLPBF
Marque:: Infineon

IRLZ34NSPbF N-channel HEXFET Power MOSFET

Transistor MOSFET de puissance à canal N, 55 V, Infineon

La gamme de transistors MOSFET de puissance HEXFET® discrets, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés et des facteurs de forme capables de faire face à pratiquement toutes les dispositions de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.

MOSFET Infineon de la série HEXFET, courant de vidange continu maximum de 30A, dissipation de puissance maximum de 68W - IRLZ34NSTRLPBF

Ce MOSFET à canal N haute performance permet une commutation et une amplification efficaces dans diverses applications électriques. Avec une capacité de courant de drain continu de 30A et une tension drain-source maximale de 55V, il convient aux applications automobiles, industrielles et d'électronique grand public. Son montage en surface simplifie son intégration dans les cartes de circuits modernes, ce qui en fait un composant clé pour une gestion efficace de l'énergie.

Caractéristiques et avantages

• Faible tension de seuil de grille pour une vitesse de commutation accrue
• Faible RDS(on) pour une dissipation efficace de la puissance
• La résistance thermique élevée permet de travailler à des températures élevées
• La dissipation maximale de 68 W contribue à la durabilité
• La technologie de montage en surface permet des conceptions compactes
• Entraînement efficace avec une charge de grille élevée à 5V

Applications

• Circuits d'alimentation électrique pour une régulation efficace de la tension
• Contrôle de moteur nécessitant un changement rapide
• Convertisseurs DC-DC pour une meilleure efficacité
• Des instruments de précision pour des performances fiables
• Automobile avec des exigences élevées en matière de fiabilité

Quel est le courant continu maximum que ce composant peut supporter ?

Le dispositif peut supporter un courant de drainage continu maximum de 30A.

Comment ce MOSFET gère-t-il les performances thermiques ?

Il fonctionne à une température maximale de +175 °C, ce qui garantit sa fiabilité dans les environnements à haute température.

Peut-il être utilisé dans des applications automobiles ?

En effet, sa construction robuste et sa tolérance aux températures élevées lui permettent de s'adapter à divers circuits automobiles.

Quels types de configurations de circuits peuvent être pris en charge ?

Le MOSFET prend en charge les configurations de transistors en mode d'amélioration, idéales pour les applications de commutation.

Est-il compatible avec les circuits montés en surface ?

Oui, le type de boîtier D2PAK (TO-263) permet une intégration facile dans les applications de montage en surface et facilite la mise en place sur les cartes de circuits imprimés.

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	30 A
Tension Drain Source maximum	55 V
Série	HEXFET
Type de boîtier	D2PAK (TO-263)
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	60 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	2V
Tension de seuil minimale de la grille	1V
Dissipation de puissance maximum	68 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-16 V, +16 V
Largeur	11.3mm
Matériau du transistor	Si
Charge de Grille type @ Vgs	25 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum	+175 °C
Nombre d'éléments par circuit	1
Longueur	10.67mm
Tension directe de la diode	1.3V
Hauteur	4.83mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C