Références fabricant

MOSFET canal N Infineon 110 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 HEXFET

Code commande RS:: 831-2809
Référence fabricant:: IRF3205STRLPBF
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 110 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 HEXFET

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50 - 90	1,187 €	11,87 €	15,75 €
100 - 240	1,111 €	11,11 €	39,10 €
250 - 490	1,038 €	10,38 €	116,00 €
500 +	0,964 €	9,64 €	269,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 831-2809
Référence fabricant:: IRF3205STRLPBF
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	110A
	Tension Drain Source maximum Vds	55V
	Série	HEXFET
	Type de Boitier	TO-263
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	8mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	146nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Dissipation de puissance maximum Pd	200W
	Tension directe Vf	1.3V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Normes/homologations	No
	Longueur	10.67mm
	Largeur	9.65mm
	Hauteur	4.83mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 110A
	Tension Drain Source maximum Vds 55V
	Série HEXFET
	Type de Boitier TO-263
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 8mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 146nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Dissipation de puissance maximum Pd 200W
	Tension directe Vf 1.3V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Normes/homologations No
	Longueur 10.67mm
	Largeur 9.65mm
	Hauteur 4.83mm
	Standard automobile Non

IRF3205SPbF, IRF3205LPbF, HEXFET Power MOSFET

Pays d'origine :: CN

Transistor MOSFET de puissance à canal N, 55 V, Infineon

La gamme de transistors MOSFET de puissance HEXFET® discrets, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés et des facteurs de forme capables de faire face à pratiquement toutes les dispositions de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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