MOSFET canal N Infineon 210 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 HEXFET
- Code commande RS:
- 217-2597
- Référence fabricant:
- IRF3805STRLPBF
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 800 unités)*
1 680,00 €
HT
2 016,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 800 + | 2,10 € | 1 680,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 217-2597
- Référence fabricant:
- IRF3805STRLPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 210A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 55V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3.3mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 300W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 190nC | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 2.3mm | |
| Largeur | 6.22mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 6.5mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 210A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 55V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3.3mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 300W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 190nC | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 2.3mm | ||
Largeur 6.22mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 6.5mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET de puissance Infineon HEXFET ® utilise les toutes dernières techniques de traitement pour obtenir une très faible résistance par surface de silicium. Les caractéristiques supplémentaires de cette conception sont une température d'utilisation de jonction de 175 °C, une vitesse de commutation rapide et une meilleure puissance nominale à avalanche répétitive. Ces caractéristiques se combinent pour faire de cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications.
Technologie de traitement avancée
Résistance à l'état passant ultra faible
Température d'utilisation de 175 °C
Commutation rapide
Avalanche répétitive permettant un Tjmax
Sans plomb
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