MOSFET canal N Infineon 65 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 HEXFET
- Code commande RS:
- 650-4772
- Référence fabricant:
- IRFP4227PBF
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 650-4772
- Référence fabricant:
- IRFP4227PBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 65A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 200V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 25mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 70nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 330W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -30, +30V | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 5.3mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 15.9mm | |
| Hauteur | 20.3mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 65A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 200V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 25mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 70nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 330W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -30, +30V | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 5.3mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 15.9mm | ||
Hauteur 20.3mm | ||
Standard automobile Non | ||
MOSFET Infineon de la série HEXFET, courant de vidange continu maximal de 65A, dissipation de puissance maximale de 330W - IRFP4227PBF
Ce MOSFET est un composant essentiel dans les applications électroniques contemporaines, offrant un contrôle et une commutation fiables pour les systèmes de haute puissance. Il offre des performances et une efficacité robustes, ce qui le rend adapté à une variété de tâches industrielles, en particulier dans les environnements où une résistance thermique élevée et de faibles pertes par conduction sont essentielles. La conception du mode d'amélioration facilite le fonctionnement optimal dans diverses conditions, ce qui le rend idéal pour l'automatisation, les systèmes électriques et les applications mécaniques.
Caractéristiques et avantages
• Fournit un courant de vidange continu de 65A pour les applications intensives
• Fonctionne efficacement à une tension drain-source maximale de 200V
• Le faible RDS(on) contribue à l'efficacité énergétique en cours d'utilisation
• Tolérance aux températures élevées jusqu'à 175°C
• Optimisé pour une commutation rapide avec des temps de descente et de montée minimaux
• Offre une excellente capacité d'avalanche répétitive pour une meilleure fiabilité du système
Applications
• Utilisé dans les systèmes de récupération d'énergie pour améliorer l'efficacité
• Compatible avec PDP sustain pour une performance efficace
• Convient aux circuits d'entraînement de moteurs de forte puissance nécessitant un contrôle précis
• Utilisé dans les alimentations à découpage dans les processus d'automatisation
• Utilisé dans les amplificateurs audio professionnels pour une gestion efficace de la puissance
Quelle est l'intensité maximale du courant qui peut être absorbée à des températures élevées ?
Il peut gérer un courant de vidange continu de 46A à 100°C, ce qui garantit son fonctionnement dans des environnements difficiles.
Quelles sont les performances de ce composant dans des conditions d'impulsions ?
Le courant de drain pulsé peut atteindre jusqu'à 130A, ce qui le rend approprié pour les applications transitoires.
Quelles sont les exigences en matière de refroidissement lors de l'utilisation de ce dispositif ?
Il présente une résistance thermique de 0,45°C/W de la jonction au boîtier, ce qui nécessite des mécanismes efficaces de dissipation de la chaleur pour un fonctionnement optimal.
Quel type de montage est nécessaire pour l'installation ?
L'installation nécessite un montage à travers le trou, ce qui convient aux applications robustes nécessitant des connexions solides.
Quel est l'impact de la charge de la grille sur la vitesse de commutation ?
Il présente une charge de grille totale typique de 70nC, ce qui permet une commutation rapide et efficace, cruciale dans les applications à grande vitesse.
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