MOSFET canal N Infineon 4 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 CoolMOS P7

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130-0906
Référence fabricant:
IPD80R1K4P7ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

4A

Tension Drain Source maximum Vds

800V

Série

CoolMOS P7

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1.4Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

900mV

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30V, +30V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

10nC

Dissipation de puissance maximum Pd

32W

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

6.73mm

Hauteur

2.41mm

Largeur

6.22mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™ P7


La famille de transistor de puissance CoolMOS P7 800 V offre un meilleur rendement et de meilleures performances thermiques. Les applications adaptées sont les adaptateurs d'alimentation, l'éclairage à LED, les applications audio, industrielles et l'alimentation auxiliaire.

Transistors MOSFET, Infineon


Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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