MOSFET canal N Infineon 7 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 CoolMOS P7

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Code commande RS:
214-9052
Référence fabricant:
IPD80R750P7ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

7A

Tension Drain Source maximum Vds

800V

Série

CoolMOS P7

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

750mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

17nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

51W

Tension directe Vf

900mV

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

2.41mm

Normes/homologations

No

Largeur

6.22mm

Longueur

6.73mm

Standard automobile

Non

La dernière série Infineon 800 V CoolMOS P7 définit une nouvelle référence en technologies de super jonction 800 V et combine des performances de pointe avec une grande facilité d'utilisation art, résultant de l'innovation technologique de super jonction de 18 ans d'Infineon. Ils sont faciles à piloter et parallèles, ce qui permet des conceptions de densité de puissance plus élevée, des économies de nomenclature et des coûts d'assemblage plus faibles. Ils sont recommandés pour les topologies de commutation rigide et souple pour l'éclairage à LED, les chargeurs et adaptateurs à faible consommation, l'audio, l'alimentation AUX et l'alimentation industrielle.

Il est fourni avec une gamme entièrement optimisée

Protection ESD à diode Zener intégrée

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