MOSFET canal N Infineon 7 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 CoolMOS P7
- Code commande RS:
- 214-9053
- Référence fabricant:
- IPD80R750P7ATMA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 15 unités)*
18,36 €
HT
22,04 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 2 415 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 1,224 € | 18,36 € |
| 75 - 135 | 1,163 € | 17,45 € |
| 150 - 360 | 1,139 € | 17,09 € |
| 375 - 735 | 1,065 € | 15,98 € |
| 750 + | 0,992 € | 14,88 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 214-9053
- Référence fabricant:
- IPD80R750P7ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 7A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 800V | |
| Série | CoolMOS P7 | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 750mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 17nC | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 51W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 6.73mm | |
| Hauteur | 2.41mm | |
| Largeur | 6.22mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 7A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 800V | ||
Série CoolMOS P7 | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 750mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 17nC | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 51W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 6.73mm | ||
Hauteur 2.41mm | ||
Largeur 6.22mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
La dernière série Infineon 800 V CoolMOS P7 définit une nouvelle référence en technologies de super jonction 800 V et combine des performances de pointe avec une grande facilité d'utilisation art, résultant de l'innovation technologique de super jonction de 18 ans d'Infineon. Ils sont faciles à piloter et parallèles, ce qui permet des conceptions de densité de puissance plus élevée, des économies de nomenclature et des coûts d'assemblage plus faibles. Ils sont recommandés pour les topologies de commutation rigide et souple pour l'éclairage à LED, les chargeurs et adaptateurs à faible consommation, l'audio, l'alimentation AUX et l'alimentation industrielle.
Il est fourni avec une gamme entièrement optimisée
Protection ESD à diode Zener intégrée
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 7 A 800 V Enrichissement TO-252 CoolMOS P7
- MOSFET canal N Infineon 4 A 800 V Enrichissement TO-252 CoolMOS P7
- MOSFET canal N Infineon 1.9 A 800 V Enrichissement TO-252 CoolMOS P7
- MOSFET canal N Infineon 8 A 800 V Enrichissement TO-252 CoolMOS P7
- MOSFET canal N Infineon 3 A 800 V Enrichissement TO-252 800V CoolMOS P7
- MOSFET canal N Infineon 2.5 A 800 V Enrichissement TO-252 800V CoolMOS P7
- MOSFET canal N Infineon 6 A 800 V Enrichissement TO-252 800V CoolMOS P7
- MOSFET canal N Infineon 4 A 700 V Enrichissement TO-252 CoolMOS P7