MOSFET canal N Infineon 6.6 A 550 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 CoolMOS CE

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Code commande RS:
130-0916
Référence fabricant:
IPN50R950CEATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

6.6A

Tension Drain Source maximum Vds

550V

Type de Boitier

SOT-223

Série

CoolMOS CE

Type de montage

En surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

950mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

0.83V

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30, +30V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

10.5nC

Dissipation de puissance maximum Pd

5W

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Largeur

3.7mm

Hauteur

1.7mm

Longueur

6.7mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™ CE


Transistors MOSFET, Infineon


Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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