MOSFET Infineon canal N, SOT-223 9 A 550 V, 3 broches

Code commande RS:: 168-5925
Référence fabricant:: IPN50R650CEATMA1
Marque:: Infineon

MOSFET Infineon canal N, SOT-223 9 A 550 V, 3 broches

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Prix pour l'unité (en bobine de 3000)

0,266 €

0,319 €

Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 - 3000	0,266 €	798,00 €
6000 +	0,252 €	756,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 168-5925
Référence fabricant:: IPN50R650CEATMA1
Marque:: Infineon

Documentation technique

IPN50R650CE, MOSFET 500V CoolMOS CE Power Transistor

Législation et Conformité

Pays d'origine :: CN

Détail produit

Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™ CE

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	9 A
Tension Drain Source maximum	550 V
Type de boîtier	SOT-223
Série	CoolMOS™ CE
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	650 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	3.5V
Tension de seuil minimale de la grille	2.5V
Dissipation de puissance maximum	5 W
Tension Grille Source maximum	-30 V, +30 V
Nombre d'éléments par circuit	1
Largeur	3.7mm
Charge de Grille type @ Vgs	15 nC @ 10 V
Longueur	6.7mm
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Tension directe de la diode	0.84V
Hauteur	1.7mm
Température de fonctionnement minimum	-40 °C