MOSFET Infineon canal N, SOT-223 4,8 A 550 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 168-5922
- Référence fabricant:
- IPN50R1K4CEATMA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,167 € | 501,00 € |
| 6000 - 6000 | 0,159 € | 477,00 € |
| 9000 + | 0,149 € | 447,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 168-5922
- Référence fabricant:
- IPN50R1K4CEATMA1
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™ CE
Transistors MOSFET, Infineon
Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 4,8 A |
| Tension Drain Source maximum | 550 V |
| Type de boîtier | SOT-223 |
| Série | CoolMOS™ CE |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 1,4 Ω |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 3.5V |
| Tension de seuil minimale de la grille | 2.5V |
| Dissipation de puissance maximum | 5 W |
| Tension Grille Source maximum | -30 V, +30 V |
| Longueur | 6.7mm |
| Charge de Grille type @ Vgs | 8,2 nC @ 10 V |
| Largeur | 3.7mm |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Hauteur | 1.7mm |
| Température de fonctionnement minimum | -40 °C |
| Tension directe de la diode | 0.83V |
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