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MOSFET 2 canal N Double Infineon 9.1 A 30 V Enrichissement, 8 broches, SOIC HEXFET Non

Code commande RS:: 130-0964
Numéro d'article Distrelec:: 304-36-987
Référence fabricant:: IRF7907TRPBF
Marque:: Infineon

MOSFET 2 canal N Double Infineon 9.1 A 30 V Enrichissement, 8 broches, SOIC HEXFET Non

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

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Code commande RS:: 130-0964
Numéro d'article Distrelec:: 304-36-987
Référence fabricant:: IRF7907TRPBF
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	9.1A
	Tension Drain Source maximum Vds	30V
	Série	HEXFET
	Type de Boitier	SOIC
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	20.5mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension directe Vf	1V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	14nC
	Dissipation de puissance maximum Pd	2W
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Configuration du transistor	Double
	Longueur	5mm
	Hauteur	1.5mm
	Normes/homologations	No
	Largeur	4mm
	Nombre d'éléments par circuit	2
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 9.1A
	Tension Drain Source maximum Vds 30V
	Série HEXFET
	Type de Boitier SOIC
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 20.5mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension directe Vf 1V
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 14nC
	Dissipation de puissance maximum Pd 2W
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Configuration du transistor Double
	Longueur 5mm
	Hauteur 1.5mm
	Normes/homologations No
	Largeur 4mm
	Nombre d'éléments par circuit 2
	Standard automobile Non

IRF7907PbF, Dual HEXFET Power MOSFET 30V

Transistor MOSFET de puissance à canal N, 30 V, Infineon

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