MOSFET Infineon canal N, SOIC 18 A 40 V, 8 broches

Code commande RS:: 827-3899
Référence fabricant:: IRF7842TRPBF
Marque:: Infineon

MOSFET Infineon canal N, SOIC 18 A 40 V, 8 broches

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Code commande RS:: 827-3899
Référence fabricant:: IRF7842TRPBF
Marque:: Infineon

IRF7842TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet

Transistor MOSFET de puissance à canal N, 40 V, Infineon

La gamme de transistors MOSFET de puissance HEXFET® discrets, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés et des facteurs de forme capables de faire face à pratiquement toutes les dispositions de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.

Infineon HEXFET Series MOSFET, 18A Maximum Continuous Drain Current, 2,5W Maximum Power Dissipation - IRF7842TRPBF

Ce MOSFET offre des performances élevées dans diverses applications électroniques. Avec des spécifications comprenant un courant de drainage continu de 18A et une tension drain-source maximale de 40V, il améliore l'efficacité énergétique des dispositifs électroniques. Conçu pour la technologie de montage en surface, ce dispositif garantit la durabilité et convient aux professionnels de l'électronique et de l'automatisation.

Caractéristiques et avantages

• Faible Rds(on) à 4,5V améliorant l'efficacité
• La gestion d'un courant élevé optimise la fourniture de puissance
• La charge de grille minimale réduit les pertes de commutation
• La fiabilité est renforcée par l'évaluation des risques d'avalanche
• La configuration à canal N permet d'obtenir des performances efficaces dans les applications de contrôle

Applications

• Utilisé dans les circuits MOSFET synchrones pour l'alimentation des processeurs d'ordinateurs portables
• Agit en tant que redressement synchrone secondaire dans les convertisseurs DC-DC isolés
• Fonctions dans les conceptions de convertisseurs DC-DC non isolés

Quelle est la température maximale de fonctionnement de cet appareil ?

Il fonctionne efficacement jusqu'à +150°C, ce qui garantit sa fiabilité dans les environnements à haute température.

Comment ce composant gère-t-il le courant pendant le fonctionnement ?

Le dispositif supporte un courant de drainage continu de 18A, adapté à diverses applications.

Peut-il être utilisé dans des circuits à haute tension ?

Oui, la tension drain-source maximale est évaluée à 40V, ce qui offre une grande flexibilité pour les applications à haute tension.

Quelles sont les caractéristiques de la résistance thermique ?

La résistance thermique de la jonction à l'environnement est généralement de l'ordre de 50-55°C/W, ce qui facilite une dissipation efficace de la chaleur.

Ce MOSFET est-il compatible avec la technologie de montage en surface ?

Oui, il est disponible dans un boîtier SOIC spécialement conçu pour le montage en surface, ce qui facilite l'intégration dans les conceptions de circuits.

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	18 A
Tension Drain Source maximum	40 V
Type de boîtier	SOIC
Série	HEXFET
Type de montage	CMS
Nombre de broches	8
Résistance Drain Source maximum	5,9 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	2.25V
Tension de seuil minimale de la grille	1.35V
Dissipation de puissance maximum	2,5 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Charge de Grille type @ Vgs	33 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor	Si
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Longueur	5mm
Largeur	4mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	1.5mm
Tension directe de la diode	1V