MOSFET 2 canal N Double Infineon 8.1 A 30 V Enrichissement, 8 broches, SOIC HEXFET Non
- Code commande RS:
- 130-1013
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-36-992
- Référence fabricant:
- IRL6372TRPBF
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 130-1013
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-36-992
- Référence fabricant:
- IRL6372TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 8.1A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 23mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 11nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -12V, +12V | |
| Configuration du transistor | Double | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 5mm | |
| Largeur | 4mm | |
| Hauteur | 1.5mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 8.1A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 23mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 11nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -12V, +12V | ||
Configuration du transistor Double | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 5mm | ||
Largeur 4mm | ||
Hauteur 1.5mm | ||
Normes/homologations No | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 30 V, Infineon
La gamme de transistors MOSFET de puissance discrets HEXFET®, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés. Elle comprend également des facteurs de forme capables de s'adapter à toutes les configurations de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.
Transistors MOSFET, Infineon
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