MOSFET N Infineon 171 A 30 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 HEXFET
- Code commande RS:
- 130-1015
- Référence fabricant:
- IRLB8314PBF
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
5,75 €
HT
6,90 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 40 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
- Plus 970 unité(s) expédiée(s) à partir du 13 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,575 € | 5,75 € |
| 100 - 240 | 0,449 € | 4,49 € |
| 250 - 490 | 0,42 € | 4,20 € |
| 500 - 990 | 0,391 € | 3,91 € |
| 1000 + | 0,362 € | 3,62 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 130-1015
- Référence fabricant:
- IRLB8314PBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 171A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3.2mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 40nC | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 125W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 16.51mm | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 171A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3.2mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 40nC | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 125W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 16.51mm | ||
Longueur 10.67mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 30 V, Infineon
La gamme de transistors MOSFET de puissance discrets HEXFET®, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés. Elle comprend également des facteurs de forme capables de s'adapter à toutes les configurations de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.
Transistors MOSFET, Infineon
Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N Infineon 171 A 30 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET de puissance N Infineon 171 A 150 V Enrichissement TO-247AC HEXFET
- MOSFET N Infineon 171 A 150 V Enrichissement TO-247 HEXFET AEC-Q101
- MOSFET N Infineon 260 A 30 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET N Infineon 150 A 30 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET N Infineon 62 A 30 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET N Infineon 92 A 30 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET N Infineon 30 A 55 V Enrichissement TO-220 HEXFET