MOSFET canal N Toshiba 11.1 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 DTMOSIV
- Code commande RS:
- 133-2796
- Référence fabricant:
- TK11P65W,RQ(S
- Marque:
- Toshiba
Sous-total (5 unités, dans un pack de 5)*
1,93 €
HT
2,32 €
TTC
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 + | 0,386 € | 1,93 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 133-2796
- Référence fabricant:
- TK11P65W,RQ(S
- Marque:
- Toshiba
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Toshiba | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 11.1A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | DTMOSIV | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 440mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 100W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 25nC | |
| Tension directe Vf | 1.7V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -30V, +30V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 2.3mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 6.1mm | |
| Longueur | 6.6mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Toshiba | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 11.1A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série DTMOSIV | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 440mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 100W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 25nC | ||
Tension directe Vf 1.7V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -30V, +30V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 2.3mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 6.1mm | ||
Longueur 6.6mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- JP
Transistors MOSFET, Toshiba
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