MOSFET canal N Toshiba 11.1 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 DTMOSIV

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Code commande RS:
133-2796
Référence fabricant:
TK11P65W,RQ(S
Marque:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

11.1A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

TO-252

Série

DTMOSIV

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

440mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

100W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

25nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.7V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30V, +30V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

6.1mm

Normes/homologations

No

Hauteur

2.3mm

Longueur

6.6mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
JP

Transistors MOSFET, Toshiba


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