MOSFET canal N Toshiba 13.7 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 DTMOSIV
- Code commande RS:
- 133-2797
- Référence fabricant:
- TK14G65W,RQ(S
- Marque:
- Toshiba
Temporairement en rupture de stock
- Code commande RS:
- 133-2797
- Référence fabricant:
- TK14G65W,RQ(S
- Marque:
- Toshiba
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Toshiba | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 13.7A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | DTMOSIV | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 250mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 35nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 130W | |
| Tension directe Vf | -1.7V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -30V, +30V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 4.46mm | |
| Longueur | 10.35mm | |
| Largeur | 8.8mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Toshiba | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 13.7A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série DTMOSIV | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 250mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 35nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 130W | ||
Tension directe Vf -1.7V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -30V, +30V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 4.46mm | ||
Longueur 10.35mm | ||
Largeur 8.8mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- JP
Transistors MOSFET, Toshiba
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