MOSFET P Nexperia 2.3 A 20 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 BSH205G2 AEC-Q101

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Code commande RS:
136-4786
Référence fabricant:
BSH205G2R
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

2.3A

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Série

BSH205G2

Type de Boitier

SOT-23

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

170mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

3.7nC

Dissipation de puissance maximum Pd

6.25W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

-1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-8V, +8V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

3mm

Normes/homologations

No

Largeur

1.4mm

Hauteur

1mm

Standard automobile

AEC-Q101

Transistor MOSFET canal P, Nexperia


Transistors MOSFET, NXP Semiconductors


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