MOSFET Nexperia canal P, SOT-23 3,3 A -20 V, 3 broches

Transistors MOSFET pour l'automobile, la plus grande gamme mondiale de MOSFET de puissance qualifiés AEC-Q101, une compréhension approfondie des exigences du système automobile et des capacités techniques ciblées permettent à Nexperia de fournir des solutions de semi-conducteurs de puissance pour un large éventail d'applications. De la gestion d'une simple lampe aux besoins complexes du contrôle de puissance dans les applications de moteur, de corps ou de châssis, les semi-conducteurs de puissance de Nexperia peuvent fournir la réponse à de nombreux problèmes de puissance des systèmes automobiles.

Conforme AEC-Q101
Résistance aux avalanches répétitives
Adapté pour les environnements thermiquement exigeants grâce à la valeur nominale de 175 °C

Transistor MOSFET à tranchée à canal P 20 V, Transistor à effet de champ (FET) à enrichissement canal P, intégré dans un petit boîtier en plastique à montage en surface (CMS) SOT23 (TO-236AB) utilisant la technologie MOSFET à tranchée.

Technologie MOSFET à tranchée
Commutation très rapide
Capacité de dissipation de puissance améliorée : Ptot = 890 mW
Protection contre les décharges électrostatiques (ESD) HBM 2 kV
Certifié AEC-Q101