MOSFET P Nexperia 470 mA 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 BSH203

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Code commande RS:
166-0610
Référence fabricant:
BSH203,215
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

470mA

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

SOT-23

Série

BSH203

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

900mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

2.2nC

Tension directe Vf

-1.3V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-8V, +8V

Dissipation de puissance maximum Pd

417mW

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

3mm

Normes/homologations

No

Largeur

1.4mm

Hauteur

1mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Transistor MOSFET canal P, Nexperia


Transistors MOSFET, NXP Semiconductors


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