MOSFET P Nexperia -5.6 A -20 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 AEC-Q101

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Code commande RS:
153-1876
Référence fabricant:
PMV27UPEAR
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

-5.6A

Tension Drain Source maximum Vds

-20V

Type de Boitier

SOT-23

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

63mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

14.7nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

8V

Dissipation de puissance maximum Pd

4.15W

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

1.4mm

Normes/homologations

No

Hauteur

1mm

Longueur

3mm

Standard automobile

AEC-Q101

Transistors MOSFET canal P, la solution idéale pour votre conception lorsque les canaux N ne sont pas adaptés. Notre grand catalogue MOSFET inclut également de nombreuses familles de dispositifs à canal P, basées sur la technologie de pointe des tranchées de Nexperia. Avec des valeurs nominales de 12 V à 70 V et des boîtiers de faible et moyenne puissance, ces transistors présentent le haut niveau d'efficacité et de fiabilité caractéristique de nos produits.

Transistor MOSFET à tranchée à canal P 20 V, transistor à effet de champ (FET) à enrichissement canal P, intégré dans un petit boîtier en plastique à montage en surface (CMS) SOT23 (TO-236AB) utilisant la technologie MOSFET à tranchée.

Technologie MOSFET à tranchée

Faible tension de seuil

Commutation très rapide

Capacité de dissipation de puissance améliorée : Ptot = 980 mW

Protection contre les décharges électrostatiques (ESD) HBM 2 kV

Certifié AEC-Q101

Driver de LED

Gestion de l'alimentation

Commutateur en charge High Side

Circuits de commutation

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