Références fabricant

MOSFET 1 canal Type P, Type P Simple onsemi 3.4 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-220F QFET Non

Code commande RS:: 145-4635
Référence fabricant:: FQPF5P20
Marque:: onsemi

MOSFET 1 canal Type P, Type P Simple onsemi 3.4 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-220F QFET Non

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Code commande RS:: 145-4635
Référence fabricant:: FQPF5P20
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de produit	MOSFET
	Nombre d'éléments par circuit	1
	Type de canal	Type P, Type P
	Configuration du transistor	Simple
	Courant continu de Drain maximum (Id)	3.4 A
	Tension Drain Source maximum (Vds)	200 V
	Mode de canal	Enrichissement
	Nombre de broches	3
	Type de Boitier	TO-220F
	Série	QFET
	Standard automobile	Non
	Tension directe (Vf)	5 V
	Hauteur	16.07 mm
	Longueur	10.36 mm
	Résistance Drain Source maximum (Rds)	1.4 Ω
	Tension maximale de source de la grille (Vgs)	-30 V, +30 V
	Température d'utilisation maximum	150 °C
	Dissipation de puissance maximum (Pd)	38 W
	Température minimum de fonctionnemen	-55 °C
	Type de montage	Traversant, Traversant
	Normes/homologations	No
	Charge de porte typique (Qg) @ Vgs	10 nC
	Largeur	4.9 mm

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de produit MOSFET
	Nombre d'éléments par circuit 1
	Type de canal Type P, Type P
	Configuration du transistor Simple
	Courant continu de Drain maximum (Id) 3.4 A
	Tension Drain Source maximum (Vds) 200 V
	Mode de canal Enrichissement
	Nombre de broches 3
	Type de Boitier TO-220F
	Série QFET
	Standard automobile Non
	Tension directe (Vf) 5 V
	Hauteur 16.07 mm
	Longueur 10.36 mm
	Résistance Drain Source maximum (Rds) 1.4 Ω
	Tension maximale de source de la grille (Vgs) -30 V, +30 V
	Température d'utilisation maximum 150 °C
	Dissipation de puissance maximum (Pd) 38 W
	Température minimum de fonctionnemen -55 °C
	Type de montage Traversant, Traversant
	Normes/homologations No
	Charge de porte typique (Qg) @ Vgs 10 nC
	Largeur 4.9 mm

FQPF5P20, P-Channel QFET MOSFET -200V, -3.4A, 1.4 Ohm

QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® Planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.

They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using Advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing Planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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