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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	Type P, Type P
	Courant continu de Drain maximum Id	3.4A
	Tension Drain Source maximum Vds	200V
	Série	QFET
	Type de Boitier	TO-220F
	Type de montage	Traversant, Traversant
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	1.4Ω
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension directe Vf	5V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	38W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	10nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-30, +30V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Configuration du transistor	Simple
	Longueur	10.36mm
	Largeur	4.9mm
	Normes/homologations	No
	Hauteur	16.07mm
	Nombre d'éléments par circuit	1
	Standard automobile	Non

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	Marque onsemi
	Type de produit MOSFET
	Type de canal Type P, Type P
	Courant continu de Drain maximum Id 3.4A
	Tension Drain Source maximum Vds 200V
	Série QFET
	Type de Boitier TO-220F
	Type de montage Traversant, Traversant
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 1.4Ω
	Mode de canal Enrichissement
	Tension directe Vf 5V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 38W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 10nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs -30, +30V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Configuration du transistor Simple
	Longueur 10.36mm
	Largeur 4.9mm
	Normes/homologations No
	Hauteur 16.07mm
	Nombre d'éléments par circuit 1
	Standard automobile Non

Transistor MOSFET à canal P QFET®, Fairchild Semiconductor

Les nouveaux transistors MOSFET planaires QFET® de FairField Semiconductor utilisent une technologie brevetée avancée pour offrir les meilleures performances de fonctionnement de sa catégorie pour une large gamme d'applications, y compris les alimentations, les PFC (correcteur de facteur de puissance), les convertisseurs c.c.-c.c., les panneaux d'affichage au plasma (PDP), les ballasts d'éclairage et le contrôle de mouvement.

Ils offrent une perte d'état sous tension réduite en abaissant la résistance sous tension (RDS(on)), et une perte de commutation réduite en abaissant la charge de grille (Qg) et la capacité de sortie (Coss). En utilisant la technologie de processus QFET® avancée, Fairchild peut offrir un chiffre de mérite (FOM) amélioré par rapport aux dispositifs MOSFET planaires concurrents.

Transistors MOSFET, ON Semi

Les transistors MOSFET semi-ON offrent une fiabilité de conception supérieure, de la réduction des pics de tension et de la surtension, à la réduction de la capacité de jonction et de la charge de récupération inverse, à l'élimination de composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en marche et en fonctionnement plus longtemps.

MOSFET 1 canal Type P, Type P Simple onsemi 3.4 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-220F QFET Non

Transistor MOSFET à canal P QFET®, Fairchild Semiconductor

Transistors MOSFET, ON Semi

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