MOSFET P onsemi 3.4 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-220F QFET

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Code commande RS:
862-8772
Référence fabricant:
FQPF5P20
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

3.4A

Tension Drain Source maximum Vds

200V

Type de Boitier

TO-220F

Série

QFET

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1.4Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

10nC

Tension directe Vf

5V

Dissipation de puissance maximum Pd

38W

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30V, +30V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

4.9mm

Normes/homologations

No

Hauteur

16.07mm

Longueur

10.36mm

Standard automobile

Non

QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductor’s new QFET® Planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.

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MOSFET Transistors, ON Semi


ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

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