MOSFET P onsemi 3.4 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-220F QFET
- Code commande RS:
- 862-8772
- Référence fabricant:
- FQPF5P20
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 862-8772
- Référence fabricant:
- FQPF5P20
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 3.4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 200V | |
| Type de Boitier | TO-220F | |
| Série | QFET | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.4Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 38W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 10nC | |
| Tension directe Vf | 5V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -30, +30V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 10.36mm | |
| Largeur | 4.9mm | |
| Hauteur | 16.07mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 3.4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 200V | ||
Type de Boitier TO-220F | ||
Série QFET | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.4Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 38W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 10nC | ||
Tension directe Vf 5V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -30, +30V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 10.36mm | ||
Largeur 4.9mm | ||
Hauteur 16.07mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET à canal P QFET®, Fairchild Semiconductor
Les nouveaux transistors MOSFET planaires QFET® de FairField Semiconductor utilisent une technologie brevetée avancée pour offrir les meilleures performances de fonctionnement de sa catégorie pour une large gamme d'applications, y compris les alimentations, les PFC (correcteur de facteur de puissance), les convertisseurs c.c.-c.c., les panneaux d'affichage au plasma (PDP), les ballasts d'éclairage et le contrôle de mouvement.
Ils offrent une perte d'état sous tension réduite en abaissant la résistance sous tension (RDS(on)), et une perte de commutation réduite en abaissant la charge de grille (Qg) et la capacité de sortie (Coss). En utilisant la technologie de processus QFET® avancée, Fairchild peut offrir un chiffre de mérite (FOM) amélioré par rapport aux dispositifs MOSFET planaires concurrents.
Transistors MOSFET, ON Semi
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Les transistors MOSFET semi-ON offrent une fiabilité de conception supérieure, de la réduction des pics de tension et de la surtension, à la réduction de la capacité de jonction et de la charge de récupération inverse, à l'élimination de composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en marche et en fonctionnement plus longtemps.
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