MOSFET P onsemi 3.4 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-220F QFET
- Code commande RS:
- 862-8772
- Référence fabricant:
- FQPF5P20
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 862-8772
- Référence fabricant:
- FQPF5P20
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 3.4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 200V | |
| Type de Boitier | TO-220F | |
| Série | QFET | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.4Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 10nC | |
| Tension directe Vf | 5V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 38W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -30V, +30V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 4.9mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 16.07mm | |
| Longueur | 10.36mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 3.4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 200V | ||
Type de Boitier TO-220F | ||
Série QFET | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.4Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 10nC | ||
Tension directe Vf 5V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 38W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -30V, +30V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 4.9mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 16.07mm | ||
Longueur 10.36mm | ||
Standard automobile Non | ||
QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductors new QFET® Planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using Advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing Planar MOSFET devices.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
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