MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 170 A 75 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 145-8617
- Référence fabricant:
- AUIRFB3207
- Marque:
- Infineon
En cours d'approvisionnement
Prix pour l'unité (en tube de 50)
1,558 €
HT
1,87 €
TTC
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 + | 1,558 € | 77,90 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 145-8617
- Référence fabricant:
- AUIRFB3207
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- MX
Détail produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, automobile, Infineon
La gamme complète de dispositifs à canal N simple composant pour automobile AECQ-101, d'Infineon, répond à un grand nombre d'exigences d'alimentation dans de nombreuses applications. Cette gamme de transistors de puissance MOSFET HEXFET® discrets d'International Rectifier inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés et des facteurs de forme capables de faire face à pratiquement n'importe quelle disposition de carte et n'importe quel défi de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.
Transistors MOSFET, Infineon
Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 170 A |
| Tension Drain Source maximum | 75 V |
| Type de boîtier | TO-220AB |
| Série | HEXFET |
| Type de montage | Traversant |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 4,5 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 4V |
| Tension de seuil minimale de la grille | 2V |
| Dissipation de puissance maximum | 300 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V |
| Longueur | 10.66mm |
| Matériau du transistor | Si |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Largeur | 4.82mm |
| Charge de Grille type @ Vgs | 180 nF @ 10 V |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Hauteur | 16.51mm |
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