MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 195 A 60 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 145-9657
- Référence fabricant:
- IRFB7530PBF
- Marque:
- Infineon
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Uniquement disponible en livraison standard
Prix pour l'unité (en tube de 50)
1,601 €
HT
1,921 €
TTC
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,601 € | 80,05 € |
| 100 - 200 | 1,404 € | 70,20 € |
| 250 + | 1,369 € | 68,45 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 145-9657
- Référence fabricant:
- IRFB7530PBF
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- MX
Détail produit
Transistor MOSFET de puissance StrongIRFET™, Infineon
La famille StrongIRFET, d'Infineon, est optimisée pour des RDS(on) faibles et une intensité de courant élevée. Cette gamme offre une meilleure porte, une robustesse dv/dt avalanche et dynamique idéale pour les applications à basse fréquence industrielles, y compris les entraînements de moteur, les outils électriques, les inverseurs et la gestion de batterie, là où performance et robustesse sont essentielles.
Transistors MOSFET, Infineon
Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 195 A |
| Tension Drain Source maximum | 60 V |
| Série | StrongIRFET |
| Type de boîtier | TO-220AB |
| Type de montage | Traversant |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 2 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 3.7V |
| Tension de seuil minimale de la grille | 2.1V |
| Dissipation de puissance maximum | 375 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V |
| Matériau du transistor | Si |
| Largeur | 4.83mm |
| Charge de Grille type @ Vgs | 274 nC @ 10 V |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C |
| Longueur | 10.67mm |
| Hauteur | 16.51mm |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
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