MOSFET N IXYS 80 A 250 V Enrichissement, 4 broches, TO-220 HiperFET

IXYS Corporation (NASDAQ : IXYS), un fabricant mondial de semiconducteurs de puissance et de circuits intégrés (CI) pour les applications médicales, de rendement énergétique, de gestion de l'alimentation, de transport et de commande de moteur, a mis sur le marché une nouvelle gamme de produits de semiconducteurs de puissance : les MOSFET de puissance HiPerFET™ Ultra-Junction de classe X3 à 250 V. Avec des résistances et des charges de grille de seulement 4,5 milliohms et 21 nanocoulombs respectivement, ces dispositifs offrent des densités de puissance et des rendements énergétiques plus élevées dans une grande variété d'applications de conversion de puissance haute vitesse. Développés à partir d'un principe de compensation de charge et d'une technologie de procédé propriétaire, les nouveaux transistors MOSFET offrent le meilleur facteur de mérite (résistance multipliée par la charge de grille) dans sa catégorie, ce qui se traduit par une conduction et des pertes de commutation plus faibles. Ils présentent la plus faible résistance à l'état passant de l'industrie (5 milliohms dans le boîtier TO-264 et 4,5 milliohms dans le SOT-227, par exemple). Les diodes intégrées HiPerFETs™ rapides intrinsèques des MOSFET offrent des caractéristiques de récupération très lisse, réduisant les dépassements de tension et les interférences électromagnétiques (IEM), en particulier dans les topologies à pont entier ou demi-pont. Avec une charge et un temps de récupération inverse faibles, les diodes sont capables d'éliminer toute énergie restante pendant la commutation à vitesse élevée pour éviter une panne du dispositif et atteindre un rendement élevé. En outre, ces nouveaux dispositifs sont protégés contre les avalanches et présentent d'excellentes performances dv/dt. Ils résistent contre les pannes du dispositif causées par des pics de tension et la mise en marche accidentelle des transistors bipolaires parasites inhérents dans la structure du MOSFET. En tant que tel, ces dispositifs robustes exigent moins de snubbers et peuvent être utilisés dans les convertisseurs de puissance de commutation dure et douce. Les applications adaptées incluent les chargeurs de batterie pour les véhicules électriques légers (LEVs), le redressement synchrone dans les alimentations à découpage, la commande de moteur, les convertisseurs c.c./c.c., les onduleurs, les chariots élévateurs électriques, les amplificateurs audio de classe D et les systèmes de télécommunication. Les nouveaux MOSFET de puissance Classe X3 de 250 V avec diodes HiPerFET™ intégrées sont disponibles dans les boîtiers de taille standard suivants : TO-3P, TO-220 (surmoulé ou standard), TO-247, PLUS247, TO-252, TO-263, TO-264, TO-268HV, SOT-227. Certains exemples de références incluent IXFA60N25X3, IXFP80N25X3, IXFT170N25X3HV et IXFK240N25X3, avec des intensités nominales de 60, 80, 170 et 240 A, respectivement.

RDS(ON) de résistance et charge de grille Qg les plus faibles