MOSFET canal N IXYS 80 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 HiperFET

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Code commande RS:
146-4236
Numéro d'article Distrelec:
304-30-535
Référence fabricant:
IXFH80N65X2
Marque:
IXYS
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Marque

IXYS

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

80A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

TO-247

Série

HiperFET

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

38mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

890W

Tension directe Vf

1.4V

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

140nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

21.34mm

Normes/homologations

No

Longueur

16.13mm

Largeur

5.21mm

Standard automobile

Non

RDS(ON) et Qg faibles

Diode intégrée rapide

Robustesse de dv/dt

Résistance aux avalanches

Boîtier à faible inductance

Boîtiers standard internationaux

Alimentations à mode de résonance

Ballaste de lampe à décharge haute intensité (HID)

Commandes de moteur c.a. et c.c.

Convertisseurs c.c.-c.c.

Robotique et commande servo

Chargeurs de batterie

Inverseurs solaires à 3 étages

Eclairage LED

Drones

Rendement plus élevé

Puissance élevée et encombrement réduit.

Facile à monter.

Gain de place

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