MOSFET IXYS canal N, TO-268HV 60 A 650 V, 3 broches

IXYS Corporation (NASDAQ : IXYS), un fabricant mondial de semiconducteurs de puissance et de circuits intégrés (CI) pour les applications médicales, de rendement énergétique, de gestion de l'alimentation, de transport et de commande de moteur, annonce une extension de sa gamme de produits de MOSFET de puissance Ultra-Junction : des MOSFET de puissance de classe X2 à 650 V avec des diodes intégrées rapides. Avec une résistance de seulement 17 milliohms et des intensités nominales de 22 à 150 A, ces dispositifs sont optimisés pour les applications de conversion de puissance en mode résonant à commutation douce. Les diodes HiPerFETs™ intégrée rapides des MOSFET offrent des caractéristiques de récupération très douces, minimisant les interférences électromagnétiques (IEM), en particulier dans les topologies de commutation à demi-pont ou à pont complet. Avec une charge et un temps de récupération inverse faibles, les diodes intégrées peuvent être utilisées pour garantir que toute l'énergie est éliminée lors de commutation à haute vitesse pour éviter la panne du dispositif et atteindre un rendement élevé. Comme les autres MOSFET Ultra-Junction d'IXYS, ces nouveaux dispositifs ont été développés à partir du principe de compensation de charge et la technologie de procédé propriétaire, ce qui permet de réduire nettement la résistance et la charge de grille des MOSFET de puissance. Ils offrent également d'excellentes performances dv/dt et sont protégés contre les avalanches. Grâce au coefficient de température positif de leur résistance à l'état passant, ils peuvent être utilisés en parallèle pour répondre aux exigences de courant plus élevé. Les applications adaptées incluent les alimentations à mode de résonance, les ballastes de lampe HID (décharge à haute intensité), les commandes de moteur c.a. et c.c., les convertisseurs c.c./c.c., la robotique et la commande servo, les chargeurs de batterie, les inverseurs solaires à 3 étages et l'éclairage à LED. Ces nouveaux MOSFET de puissance X2 650 V avec diodes HiPerFET™ intégrées sont disponibles dans les boîtiers de taille standard suivants : TO-220, TO-263, SOT-227, TO-247, PLUS247, TO-264, et PLUS264. Certains exemples de références incluent IXFA22N65X2, IXFH46N65X2, IXFK120N65X2 et IXFN150N65X2, avec des intensités nominales de drain de 22, 34, 120 et 145 A, respectivement.

RDS(ON) et Qg faibles
Diode intégrée rapide
Robustesse de dv/dt
Résistance aux avalanches
Boîtier à faible inductance
Boîtiers standard internationaux
Alimentations à mode de résonance
Ballaste de lampe à décharge haute intensité (HID)
Commandes de moteur c.a. et c.c.
Convertisseurs c.c.-c.c.
Robotique et commande servo
Chargeurs de batterie
Inverseurs solaires à 3 étages
Eclairage LED
Drones
Rendement plus élevé
Puissance élevée et encombrement réduit.
Facile à monter.
Gain de place