MOSFET canal N IXYS 60 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-268 HiperFET

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Code commande RS:
146-4235
Référence fabricant:
IXFT60N65X2HV
Marque:
IXYS
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Marque

IXYS

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

60A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

TO-268

Série

HiperFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

52mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

108nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

780W

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Tension directe Vf

1.4V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

15.15mm

Normes/homologations

No

Longueur

16.05mm

Hauteur

5.1mm

Standard automobile

Non

RDS(ON) et Qg faibles

Diode intégrée rapide

Robustesse de dv/dt

Résistance aux avalanches

Boîtier à faible inductance

Boîtiers standard internationaux

Alimentations à mode de résonance

Ballaste de lampe à décharge haute intensité (HID)

Commandes de moteur c.a. et c.c.

Convertisseurs c.c.-c.c.

Robotique et commande servo

Chargeurs de batterie

Inverseurs solaires à 3 étages

Eclairage LED

Drones

Rendement plus élevé

Puissance élevée et encombrement réduit.

Facile à monter.

Gain de place

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