MOSFET canal N IXYS 60 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-268 HiperFET
- Code commande RS:
- 146-4378
- Numéro d'article Distrelec:
- 302-53-402
- Référence fabricant:
- IXFT60N65X2HV
- Marque:
- IXYS
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- 302-53-402
- Référence fabricant:
- IXFT60N65X2HV
- Marque:
- IXYS
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 60A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | TO-268 | |
| Série | HiperFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 52mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 108nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 780W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.4V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 15.15mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 5.1mm | |
| Longueur | 16.05mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 60A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier TO-268 | ||
Série HiperFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 52mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 108nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 780W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.4V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 15.15mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 5.1mm | ||
Longueur 16.05mm | ||
Standard automobile Non | ||
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