MOSFET IXYS canal N, A-247 60 A 650 V, 3 broches

La série HiPerFET X2 de transistor MOSFET de puissance d'IXYS offre une résistance et une charge de grille extrêmement réduites par rapport aux générations précédentes de MOSFET de puissance, entraînant une réduction des pertes et une plus grande efficacité opérationnelle. Ces dispositifs robustes intègrent une diode intrinsèque haute vitesse améliorée et sont adaptés à la fois aux applications de commutation difficile et de mode de résonance. Les transistors MOSFET de classe X2 sont disponibles dans de nombreux boîtiers standards, notamment des boîtiers isolés avec des valeurs nominales pouvant atteindre 120 A à 650 V. Les applications typiques incluent les convertisseurs c.c.-c.c., les drivers de moteurs c.a. et c.c., les alimentations à découpage et à mode de résonance, les choppers c.c., les inverseurs solaires et les contrôleurs de température et d'éclairage.

Très faibles RDS(on) et QG (charge de grille)
Diode de redressement intrinsèque rapide
Grille à faible résistance intrinsèque
Boîtier à faible inductance
Boîtier standard

Faible R et Q
Résistance aux avalanches
Boîtier à faible inductance
Avantages
Forte densité de puissance
Facile à monter
Gain de place
Applications
Alimentations à découpage et à mode de résonance
Convertisseurs c.c.-c.c.
Circuits PFC
Commandes de moteur c.a. et c.c.
Robotique et commandes servo

Transistors MOSFET, IXYS

Une large gamme de dispositifs de puissance discrets avancés MOSFET d'IXYS