MOSFET de puissance canal N IXYS 80 A 250 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 HiperFET

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Code commande RS:
146-4232
Référence fabricant:
IXFH80N25X3
Marque:
IXYS
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Marque

IXYS

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET de puissance

Courant continu de Drain maximum Id

80A

Tension Drain Source maximum Vds

250V

Type de Boitier

TO-247

Série

HiperFET

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

16mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

83nC

Dissipation de puissance maximum Pd

390W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.4V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

16.24mm

Hauteur

21.45mm

Normes/homologations

No

Largeur

5.3mm

Standard automobile

Non

RDS(ON) de résistance et charge de grille Qg les plus faibles

Robustesse de dv/dt de la diode intégrée à récupération lisse et rapide

Excellente protection contre les avalanches

Boîtiers standard internationaux

Chargeurs de batterie pour véhicules électriques légers

Redressement synchrone dans les alimentations à découpage

Commande de moteur

Convertisseurs c.c.-c.c.

Alimentations sans interruption

Chariots élévateurs électriques

Amplificateurs audio de classe D

Systèmes de télécommunication

Haut rendement

Puissance élevée et encombrement réduit.

Fiabilité du système améliorée

Facilité de conception

Noyau microAptiv MIPS32, 200 MHz/330 DMIPS

Flash panneau double pour des mises à jour en fonctionnement

Module ADC 12 bits, 18 Méch/s, 45 canaux

Unité de gestion de mémoire pour une utilisation optimale de l'exécution OS intégrée

Mode microMIPS pour une compression du code jusqu'à 35 %

CAN, UART, I2C, PMP, EBI, SQI et comparateurs analogiques

Interfaces SPI/I2S pour le traitement audio et la lecture

Périphérique/hôte/OTG USB à haut débit

Ethernet MAC 10 / 100 Mb/s avec interfaces MII et RMII

Protection de mémoire avancée

2 Mo de mémoire Flash (plus 160 ko de mémoire Flash Boot additionnelle)

Mémoire RAM de 640 ko

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