MOSFET de puissance canal N IXYS 80 A 250 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 HiperFET
- Code commande RS:
- 146-4232
- Référence fabricant:
- IXFH80N25X3
- Marque:
- IXYS
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 146-4232
- Référence fabricant:
- IXFH80N25X3
- Marque:
- IXYS
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 80A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 250V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | HiperFET | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 16mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 83nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 390W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.4V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 16.24mm | |
| Hauteur | 21.45mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 5.3mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 80A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 250V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série HiperFET | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 16mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 83nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 390W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.4V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 16.24mm | ||
Hauteur 21.45mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 5.3mm | ||
Standard automobile Non | ||
RDS(ON) de résistance et charge de grille Qg les plus faibles
Robustesse de dv/dt de la diode intégrée à récupération lisse et rapide
Excellente protection contre les avalanches
Boîtiers standard internationaux
Chargeurs de batterie pour véhicules électriques légers
Redressement synchrone dans les alimentations à découpage
Commande de moteur
Convertisseurs c.c.-c.c.
Alimentations sans interruption
Chariots élévateurs électriques
Amplificateurs audio de classe D
Systèmes de télécommunication
Haut rendement
Puissance élevée et encombrement réduit.
Fiabilité du système améliorée
Facilité de conception
Noyau microAptiv MIPS32, 200 MHz/330 DMIPS
Flash panneau double pour des mises à jour en fonctionnement
Module ADC 12 bits, 18 Méch/s, 45 canaux
Unité de gestion de mémoire pour une utilisation optimale de l'exécution OS intégrée
Mode microMIPS pour une compression du code jusqu'à 35 %
CAN, UART, I2C, PMP, EBI, SQI et comparateurs analogiques
Interfaces SPI/I2S pour le traitement audio et la lecture
Périphérique/hôte/OTG USB à haut débit
Ethernet MAC 10 / 100 Mb/s avec interfaces MII et RMII
Protection de mémoire avancée
2 Mo de mémoire Flash (plus 160 ko de mémoire Flash Boot additionnelle)
Mémoire RAM de 640 ko
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