MOSFET canal N Wolfspeed 22 A 1 kV Enrichissement, 8 broches, TO-263 C3M
- Code commande RS:
- 150-3965
- Référence fabricant:
- C3M0120100J
- Marque:
- Wolfspeed
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 150-3965
- Référence fabricant:
- C3M0120100J
- Marque:
- Wolfspeed
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Wolfspeed | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 22A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1kV | |
| Série | C3M | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 170mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 4.8V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 83W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 21.5nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | +15V, +9V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 9.12mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 10.23mm | |
| Hauteur | 4.32mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Wolfspeed | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 22A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1kV | ||
Série C3M | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 170mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 4.8V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 83W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 21.5nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs +15V, +9V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 9.12mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 10.23mm | ||
Hauteur 4.32mm | ||
Standard automobile Non | ||
Wolfspeed présente sa dernière percée dans le domaine de la technologie des dispositifs d'alimentation SiC avec le seul MOSFET SiC de 1 kV de l'industrie dans un boîtier récemment optimisé adapté aux dispositifs à commutation rapide. Optimisé pour les systèmes de charge de véhicules électriques, et pour les alimentations industrielles triphasées, le nouveau dispositif de 1 kV répond à de nombreux défis de conception des alimentations en fournissant un dispositif unique avec faible résistance à état passant, une très faible capacité de sortie et une inductance de source faible pour l'association parfaite de faibles pertes de commutation et de faibles pertes de conduction.
Minimum de 1 kV Vbr sur toute la plage de température de fonctionnement
Boîtier d'inductance faible source avec broche de source d'entraînement séparée
Commutation haute vitesse avec une faible capacité de sortie
Tension de blocage élevée avec faible RDS (on)
Diode intrinsèque rapide avec faible récupération inverse (Qrr)
Facile à mettre en parallèle et simple à entraîner
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