MOSFET Wolfspeed canal N, TO247-4 30 A 1200 V, 4 broches

Wolfspeed étend son rôle de leader dans la technologie SiC en introduisant la technologie Advanced SiC MOSFET dans un nouvel emballage discret à faible inductance. Les nouveaux boîtiers permettent aux ingénieurs de profiter pleinement de la capacité haute fréquence des dernières puces MOSFET planaires C3MTM. Les concepteurs peuvent réduire le nombre de composants en se déplaçant des topologies à trois niveaux à base de silicium vers des topologies à deux niveaux plus simples, rendue possible par des performances de commutation améliorées. Ce dispositif est doté d'une faible résistance combinée à une faible charge de grille, ce qui le rend parfaitement adapté aux topologies PFC triphasées sans pont, ainsi qu'aux convertisseurs et chargeurs AC-AC.

Minimum de 1 200 V VBR sur toute la plage de températures d'utilisation
Nouveau boîtier à faible impédance avec source de driver
>8 mm de fuite/dégagement entre le drain et la source
Commutation haute vitesse avec une faible capacité de sortie
Tension de blocage élevée avec faible RDS (on)
Diode intrinsèque rapide avec faible récupération inverse (Qrr)
Facile à mettre en parallèle et simple à entraîner