MOSFET Nexperia canal N, DFN1010B-6 600 mA 20 V, 8 broches

Avec les transistors MOSFET canal N ≤20 V, bénéficiez de solutions de commutation optimales pour vos conceptions portable, faites votre choix parmi une large gamme de transistors MOSFET à canal N simple et double jusqu'à 20 V. Excellente fiabilité grâce à nos technologies TrenchMOS et boîtier de confiance. Nos transistors MOSFET basse tension d'utilisation facile sont conçus spécifiquement pour répondre aux demandes des applications portables avec des tensions de pilotage faible.

Transistor MOSFET à tranchées double canal N 20 V, transistor à effet de champ (FET) à mode d'enrichissement et double canal N dans un très petit boîtier en plastique sans câble à montage en surface (CMS) DFN1010B-6 (SOT1216) utilisant la technologie MOSFET à tranchées.

Technologie MOSFET à tranchée
Très petit boîtier en plastique CMS ultramince sans câble : 1,1 x 1 x 0,37 mm
Coussin de drainage exposé pour une excellente conductivité thermique
Protection contre les décharges électrostatiques (PSDE) > HBM 1 kV
Résistance drain-source à l'état passant RDSon = 470 mΩ