MOSFET Nexperia canal P, DFN1010B-6 500 mA -20 V, 8 broches

Transistors MOSFET canal P, la solution idéale pour votre conception lorsque les canaux N ne sont pas adaptés. Notre grand catalogue MOSFET inclut également de nombreuses familles de dispositifs à canal P, basées sur la technologie de pointe des tranchées de Nexperia. Avec des valeurs nominales de 12 V à 70 V et des boîtiers de faible et moyenne puissance, ces transistors présentent le haut niveau d'efficacité et de fiabilité caractéristique de nos produits.

Transistor MOSFET à tranchées double canal P 20 V, transistor à effet de champ (FET) à mode d'enrichissement et double canal P dans un très petit boîtier en plastique sans câble à montage en surface (CMS) DFN1010B-6 (SOT1216) utilisant la technologie MOSFET à tranchées.

Faible courant de fuite
Technologie MOSFET à tranchée
Très petit boîtier en plastique CMS ultramince sans câble : 1,1 x 1 x 0,37 mm
Coussin de drainage exposé pour une excellente conductivité thermique
Protection contre les décharges électrostatiques (PSDE) > HBM 1 kV
Résistance drain-source à l'état passant RDSon = 1,02 Ω
Driver de relais
Driver de ligne haut débit
Commutateur en charge High Side
Circuits de commutation