MOSFET Série canal N Wolfspeed 193 A 1.2 kV Enrichissement, 7 broches Non
- Code commande RS:
- 162-9720
- Référence fabricant:
- CAS120M12BM2
- Marque:
- Wolfspeed
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- 162-9720
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- CAS120M12BM2
- Marque:
- Wolfspeed
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Wolfspeed | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 193A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.2kV | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 30mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 378nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 925W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension directe Vf | 2.4V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -10V, +25V | |
| Configuration du transistor | Série | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 61.4mm | |
| Longueur | 106.4mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Hauteur | 30mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Wolfspeed | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 193A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.2kV | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 30mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 378nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 925W | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension directe Vf 2.4V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -10V, +25V | ||
Configuration du transistor Série | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 61.4mm | ||
Longueur 106.4mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Hauteur 30mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Modules MOSFET d'alimentation en carbure de silicium Wolfspeed
Modules MOSFET d'alimentation en carbure de silicium, de Wolfspeed, la division Power de Cree Inc. Ces modules MOSFET SiC sont logés dans des boîtiers standard industriels et sont disponibles en formats demi-pont (2 transistors MOSFET) et 3 phases (6 transistors MOSFET) ; ils incluent également des diodes de récupération inverse SiC. Les applications typiques incluent le chauffage par induction, les inverseurs solaires et éoliens, les convertisseurs c.c.-c.c., les PFC 3 phases, les variateurs de régénération de ligne, les systèmes d'alimentation sans coupure (UPS) et d'alimentations à découpage (SMPS), les entraînements de moteur et les chargeurs de batterie.
• Le courant de queue de désactivation MOSFET et le courant de récupération inverse de diode équivalent effectivement à zéro.
• Fonctionnement haute fréquence et ultra faibles pertes
• Mise en parallèle facile grâce aux caractéristiques SiC
• Normalement éteint, fonctionnement à sécurité intégrée
• Base en cuivre et isolant en nitrure d'aluminium pour réduire les exigences thermiques
Transistors MOSFET, Wolfspeed
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