MOSFET canal N STMicroelectronics 22 A 650 V Enrichissement, 3 broches, I2PAK STI28
- Code commande RS:
- 164-6985
- Référence fabricant:
- STI28N60M2
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité | le paquet* | Économie |
|---|---|---|---|
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| 100 - 198 | 2,855 € | 5,71 € | 78,00 € |
| 200 + | 2,455 € | 4,91 € | 236,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 164-6985
- Référence fabricant:
- STI28N60M2
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 22A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | I2PAK | |
| Série | STI28 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 150mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 170W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 36nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25V | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 4.6mm | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Hauteur | 9.3mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 22A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier I2PAK | ||
Série STI28 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 150mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 170W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 36nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25V | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 4.6mm | ||
Longueur 10.4mm | ||
Hauteur 9.3mm | ||
Standard automobile Non | ||
Ces dispositifs sont des transistors MOSFET de puissance à canal N développés à l'aide de la technologie MDmesh™ M2. Grâce à leur disposition en barrette et une structure verticale améliorée, ces dispositifs présentent une faible résistance à l'état passant et des propriétés de commutation optimisées, ce qui les rend adaptés pour les convertisseurs à haut rendement les plus exigeants.
Très faible charge de grille
Profil à capacité de sortie (COSS) excellente
Testé à 100 % en avalanche
Protégé contre les Zener
Très faible Qg pour une efficacité accrue
Profils de charge et de capacité de grille optimisés pour les alimentations résonantes (convertisseurs LLC)
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