MOSFET canal N Vishay 40 A 30 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212 TrenchFET
- Code commande RS:
- 165-2807
- Référence fabricant:
- SISA04DN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 165-2807
- Référence fabricant:
- SISA04DN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 40A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de Boitier | PowerPAK 1212 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3.1mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 51nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 52W | |
| Tension directe Vf | 730mV | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -16V, +20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 3.15mm | |
| Largeur | 3.15mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.12mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 40A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série TrenchFET | ||
Type de Boitier PowerPAK 1212 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3.1mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 51nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 52W | ||
Tension directe Vf 730mV | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -16V, +20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 3.15mm | ||
Largeur 3.15mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.12mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
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