MOSFET canal N Vishay 40 A 30 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212 TrenchFET

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1 731,00 €

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Code commande RS:
165-2807
Référence fabricant:
SISA04DN-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

40A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

PowerPAK 1212

Série

TrenchFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

3.1mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

51nC

Dissipation de puissance maximum Pd

52W

Tension directe Vf

730mV

Tension maximale de source de la grille Vgs

-16V, +20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

3.15mm

Longueur

3.15mm

Normes/homologations

No

Hauteur

1.12mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Transistor MOSFET canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


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